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Laser alteration on iron sulfides under various environmental conditions
Veröffentlicht in Journal of Raman spectroscopy
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Competing Inversion-Based Lasing and Raman Lasing in Doped Silicon
Veröffentlicht in Physical review. X
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Terahertz Stimulated Emission from Silicon Doped by Hydrogenlike Acceptors
Veröffentlicht in Physical review. X
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Relaxation of the Excited States of Arsenic in Strained Germanium
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Low-temperature intracenter relaxation times of shallow donors in germanium
Veröffentlicht in JETP letters
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Terahertz lasers based on germanium and silicon
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Fiber-dispersive Raman spectrometer with single-photon sensitivity
Veröffentlicht in Optics express
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Stimulated emission from donor transitions in silicon
Veröffentlicht in Physical review letters
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Radii of Rydberg states of isolated silicon donors
Veröffentlicht in Physical review. B
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Si:P as a laboratory analogue for hydrogen on high magnetic field white dwarf stars
Veröffentlicht in Nature communications
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Cascade capture of charge carriers in highly doped semiconductors
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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