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Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
Veröffentlicht in Vacuum
VolltextArtikel -
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On the Properties of Isoparametric AlInGaAsP/InP Heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
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