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Monte Carlo simulation of arsenic ion implantation in (100) single-crystal silicon
von
Shyh-Horng Yang
,
Morris, S.J.
,
Shiyang Tian
,
Parab, K.B.
,
Tasch, A.F.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on semiconductor manufacturing
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2
Base and collector leakage currents and their relevance to the reliability of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
von
Liou, J.J.
,
Parab, K.B.
,
Huang, C.I.
,
Bayraktaroglu, B.
,
Williamson, D.C.
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Tagungsbericht
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3
Detailed analysis and computationally efficient modeling of ultra-shallow as-implanted profiles obtained by low energy B, BF/sub 2/, and As ion implantation
von
Parab, K.B.
,
Morris, M.F.
,
Yang, S.-H.
,
Morris, S.J.
,
Tian, S.
,
Obradovic, B.
,
Tasch, A.F.
,
Kamenitsa, D.
,
Simonton, R.
,
Magee, C.
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Tagungsbericht
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4
Thyroid hormone levels in infectious hepatitis
von
Desai, K.B.
,
Mehta, M.N.
,
Mani, L.S.
,
Patel, M.C.
,
Parab, P.B.
,
Kadival, G.V.
,
Ganatra, R.D.
Veröffentlicht in
International journal of nuclear medicine & biology
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