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85-440 K Temperature Sensor Based on a 4H-SiC Schottky Diode
Veröffentlicht in IEEE sensors journal
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High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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4H-SiC p-i-n diode as Highly Linear Temperature Sensor
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Power MOSFET Intrinsic Diode as a Highly Linear Junction Temperature Sensor
Veröffentlicht in IEEE sensors journal
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Highly Linear Temperature Sensor Based on 4H-Silicon Carbide p-i-n Diodes
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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