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High performance and high yield sub-240 nm AlN:GaN short period superlattice LEDs grown by MBE on 6 in. sapphire substrates von Nicholls, Jordan, Anderson, Liam, Lee, William, Ahn, Jason Jae Seok, Baskaran, Ashokraj, Bang, Hyunsik, Belloeil, Matthias, Cai, Yushan, Campbell, Jyoti, Chai, Jessica, Corpuz, Nathaniel, Entoma, Volter, Hayden, Brian, Hung, Tab, Kim, Henry, King, Douglas, Li, Shawn, Liu, Andy, McMahon, Daniel, Nguyen, Viet, Pan, Swee Fong, Tedman-Jones, Samuel, Toe, Wen Jun, Tsai, Ray, Tudo, Man Phat, Wang, Hai Ping, Wang, Youzhi, Yan, Shu, Yang, Ryan, Yeo, Kevin, Schaff, William, Krause, Norbert, Charters, Robbie, Tang, Johnny, Atanackovic, Petar
Veröffentlicht in Applied physics letters
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