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    Boosting n-Type Doping Levels of Ge With Co-Doping by Integrating Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition and Flash Annealing Process

    Boosting n-Type Doping Levels of Ge With Co-Doping by Integrating Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition and Flash Annealing Process von Baik, Seunghun, Kwon, Hyeokjin, Paeng, Chuck, Zhang, He, Kalkofen, Bodo, Jang, Jae Eun, Kim, Y. S., Kwon, Hyuk-Jun

    Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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