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Inversion domains in AlN grown on (0001) sapphire
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Effect of initial process conditions on the structural properties of AlN films
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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ENERGY BAND GAP OF AlxGa1-xN
Veröffentlicht in Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 41, no. 4A, pp. 1936-1940. 2002
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