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    Characteristics of silicon nitride deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using a dual frequency radio-frequency source

    Characteristics of silicon nitride deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using a dual frequency radio-frequency source von PEARCE, C. W, FETCHO, R. F, GROSS, M. D, KOEFER, R. F, PUDLINGER, R. A

    Veröffentlicht in Journal of applied physics

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