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Ab initio simulations of homoepitaxial SiC growth
Veröffentlicht in Physical review letters
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Chemisorption sites and reaction pathways for acetylene on Si(1 1 1)-(7 × 7)
Veröffentlicht in Surface science
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Acetylene on Si(111) from computer simulations
Veröffentlicht in Computer physics communications
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First Principles Simulations of SiC-Based Interfaces
Veröffentlicht in Materials Science Forum
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Role of negatively charged defects in the lattice contraction of Al-Si-N
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Surface-induced stacking transition at SiC(0001)
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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