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A study on free-standing 3C-SiC bipolar power diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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3C-SiC Transistor With Ohmic Contacts Defined at Room Temperature
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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p‑Type Ultrawide-Band-Gap Spinel ZnGa2O4: New Perspectives for Energy Electronics
Veröffentlicht in Crystal growth & design
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Functional Oxides for Photoneuromorphic Engineering: Toward a Solar Brain
Veröffentlicht in Advanced materials interfaces
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A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
Veröffentlicht in IEEE transactions on power electronics
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Above-Bandgap Photovoltages in Antiferroelectrics
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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A Solar Transistor and Photoferroelectric Memory
Veröffentlicht in Advanced functional materials
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Status and Prospects of Cubic Silicon Carbide Power Electronics Device Technology
Veröffentlicht in Materials
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Wide Band Gap Semiconductor Devices for Power Electronics
Veröffentlicht in Automatika
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P-type β-gallium oxide: A new perspective for power and optoelectronic devices
Veröffentlicht in Materials today physics
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Electrical activation of nitrogen heavily implanted 3C-SiC(100)
Veröffentlicht in Applied surface science
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