Electronic switching in phase-change memories von Pirovano, A., Lacaita, A.L., Benvenuti, A., Pellizzer, F., Bez, R.

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Low-field amorphous state resistance and threshold voltage drift in chalcogenide materials von Pirovano, A., Lacaita, A.L., Pellizzer, F., Kostylev, S.A., Benvenuti, A., Bez, R.

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A Bipolar-Selected Phase Change Memory Featuring Multi-Level Cell Storage von Bedeschi, F., Fackenthal, R., Resta, C., Donze, E.M., Jagasivamani, M., Buda, E.C., Pellizzer, F., Chow, D.W., Cabrini, A., Calvi, G., Faravelli, R., Fantini, A., Torelli, G., Mills, D., Gastaldi, R., Casagrande, G.

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Electronic switching effect and phase-change transition in chalcogenide materials von Redaelli, A., Pirovano, A., Pellizzer, F., Lacaita, A.L., Ielmini, D., Bez, R.

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Analysis of phase distribution in phase-change nonvolatile memories von Ielmini, D., Lacaita, A.L., Pirovano, A., Pellizzer, F., Bez, R.

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A Phase Change Memory Compact Model for Multilevel Applications von Ventrice, D., Fantini, P., Redaelli, A., Pirovano, A., Benvenuti, A., Pellizzer, F.

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Parasitic reset in the programming transient of PCMs von Ielmini, D., Mantegazza, D., Lacaita, A.L., Pirovano, A., Pellizzer, F.

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Single Event Effects in 90-nm Phase Change Memories von Gerardin, S., Bagatin, M., Paccagnella, A., Visconti, A., Bonanomi, M., Pellizzer, F., Vela, M., Ferlet-Cavrois, V.

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Switching and programming dynamics in phase-change memory cells von Ielmini, D., Mantegazza, D., Lacaita, A.L., Pirovano, A., Pellizzer, F.

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Analysis of Proton and Heavy-Ion Irradiation Effects on Phase Change Memories With MOSFET and BJT Selectors von Gasperin, A., Paccagnella, A., Schwank, J.R., Vizkelethy, G., Ottogalli, F., Pellizzer, F.

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Explanation of programming distributions in phase-change memory arrays based on crystallization time statistics von Mantegazza, D., Ielmini, D., Pirovano, A., Lacaita, A.L., Varesi, E., Pellizzer, F., Bez, R.

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Phase-change memory technology with self-aligned μTrench cell architecture for 90 nm node and beyond von PIROVANO, A, PELLIZZER, F, MARANGON, T, BEDESCHI, F, FACKENTHAL, R, ATWOOD, G, BEZ, R, TORTORELLI, I, RIGANO, A, HARRIGAN, R, MAGISTRETTI, M, PETRUZZA, P, VARESI, E, REDAELLI, A, ERBETTA, D

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A new model of gate capacitance as a simple tool to extract MOS parameters von Larcher, L., Pavan, P., Pellizzer, F., Ghidini, G.

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A physics-based model of electrical conduction decrease with time in amorphous Ge2Sb2Te5 von Boniardi, M., Redaelli, A., Pirovano, A., Tortorelli, I., Ielmini, D., Pellizzer, F.

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Internal Temperature Extraction in Phase-Change Memory Cells During the Reset Operation von Boniardi, M., Redaelli, A., Tortorelli, I., Pellizzer, F., Pirovano, A.

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Precise electrical evaluation of active oxides thickness and comparison with TEM measurements von Pellizzer, F., Pavia, G.

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4-Mb MOSFET-selected /spl mu/trench phase-change memory experimental chip von Bedeschi, F., Bez, R., Boffino, C., Bonizzoni, E., Buda, E.C., Casagrande, G., Costa, L., Ferraro, M., Gastaldi, R., Khouri, O., Ottogalli, F., Pellizzer, F., Pirovano, A., Resta, C., Torelli, G., Tosi, M.

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"Phase-Change Memories for nano-scale technology and design" von Pellizzer, F., Bez, R.

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Electrical characterization of highly reliable 8 nm oxide von GHIDINI, G, ALESSANDRI, M, CLEMENTI, C, DRERA, D, PELLIZZER, F

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4-Mb MOSFET-selected μtrench phase-change memory experimental chip von BEDESCHI, Ferdinando, BEZ, Roberto, OTTOGALLI, Federica, PELLIZZER, Fabio, PIROVANO, Agostino, RESTA, Claudio, TORELLI, Guido, TOSI, Marina, BOFFINO, Chiara, BONIZZONI, Edoardo, CASSIODORO BUDA, Egidio, CASAGRANDE, Giulio, COSTA, Lucio, FERRARO, Marco, GASTALDI, Roberto, KHOURI, Osama

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