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Simulations of operation dynamics of different type GaN particle sensors
Veröffentlicht in Sensors (Basel, Switzerland)
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Luminescence Characteristics of the MOCVD GaN Structures with Chemically Etched Surfaces
Veröffentlicht in Materials
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Study of Radiation-Induced Defects in p-Type Si1−xGex Diodes before and after Annealing
Veröffentlicht in Materials
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Study of Radiation-Induced Defects in p -Type Si 1-x Ge x Diodes before and after Annealing
Veröffentlicht in Materials
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