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Deep levels and persistent photoconductivity in GaN thin films
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Study of defect states in GaN films by photoconductivity measurement
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electrical characterization of GaN/SiC n-p heterojunction diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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GaN/SiC heterojunction bipolar transistors
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Optical characterization of GaN/SiC n-p heterojunctions and p-SiC
Veröffentlicht in Applied physics letters
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ICNS-4 Illuminates Latest Research in GaN and Related Materials
Veröffentlicht in MRS Bulletin
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Hydrogen localization near boron in silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electroluminescence from erbium and oxygen coimplanted GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Interfacial effects during GaN growth on 6H-SiC
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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