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    The Richardson constant and barrier inhomogeneity at Au Si3N4 n-Si (MIS) Schottky diodes

    The Richardson constant and barrier inhomogeneity at Au Si3N4 n-Si (MIS) Schottky diodes von Tataro lu, A, Pür, F Z

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    Analysis of the series resistance and interface states of Au Si3N4 n-Si (metal-insulator-semiconductor) Schottky diodes using I-V characteristics in a wide temperature range

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    Analysis of the series resistance and interface states of Au/Si 3 N 4 /n-Si (metal–insulator–semiconductor) Schottky diodes using I – V characteristics in a wide temperature range... von Pür, F Z, Tataroğlu, A

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    The Richardson constant and barrier inhomogeneity at Au/Si sub(3)N sub(4)/n-Si (MIS) Schottky diodes

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    Analysis of the series resistance and interface states of Au/Si sub(3)N sub(4)/n-Si (metal-insulator-semiconductor) Schottky diodes using I-V characteristics in a wide temperature range

    Analysis of the series resistance and interface states of Au/Si sub(3)N sub(4)/n-Si (metal-insulator-semiconductor) Schottky diodes using I-V characteristics in a wide temperature... von Pur, F Z, Tataroglu, A

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