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    Full Range Work Function Tuning of MOSFETs using Interfacial Yttrium Layer in fully Germanided Ni Gate

    Full Range Work Function Tuning of MOSFETs using Interfacial Yttrium Layer in fully Germanided Ni Gate von Yu, Hong Peng, Pey, Kin Leong, Choi, Wee Kiong, Antoniadis, Dimitri A., Fitzgerald, Gene A., Dawood, Mohammed Khalid, Ow, Kai Qun, Chi, Dong Zhi

    Veröffentlicht in ECS transactions

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