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    Photoluminescence studies of 2DEG confinement in InAs ultrathin layer introduced in GaAs/AlGaAs structure

    Photoluminescence studies of 2DEG confinement in InAs ultrathin layer introduced in GaAs/AlGaAs structure von Dhifallah, I., Daoudi, M., Bardaoui, A., Ben Sedrine, N., Aloulou, S., Ouerghli, A., Chtourou, R.


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    Silicon doping effects on optical properties of InAs ultrathin layer embedded in GaAs/AlGaAs:δSi high electron mobility transistors structures

    Silicon doping effects on optical properties of InAs ultrathin layer embedded in GaAs/AlGaAs:δSi high electron mobility transistors structures von Dhifallah, I., Daoudi, M., Ouerghli, A., Oueslati, M., Chtourou, R.


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    Silicon doping effects on optical properties of InAs ultrathin layer embedded in GaAs/AlGaAs:[delta]Si high electron mobility transistors structures

    Silicon doping effects on optical properties of InAs ultrathin layer embedded in GaAs/AlGaAs:[delta]Si high electron mobility transistors structures von Dhifallah, I, Daoudi, M, Ouerghli, A, Oueslati, M, Chtourou, R


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