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Non-equilibrium critical point in Be-doped low-temperature-grown GaAs
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Scanning transmission electron microscope analysis of amorphous-Si insertion layers prepared by catalytic chemical vapor deposition, causing low surface recombination velocities on...
Veröffentlicht in Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
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Results from the IAEA Benchmark of Spallation Models
Veröffentlicht in Journal of the Korean Physical Society
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