The 65nm tunneling field effect transistor (TFET) 0.68/spl mu/m/sup 2/ 6T memory cell and multi-V/sub th/ device von Nirschl, T., Henzler, St, Fischer, J., Bargagli-Stoffi, A., Fulde, M., Sterkel, M., Teichmann, P., Schaper, U., Einfeld, J., Linnenbank, C., Sedlmeir, J., Weber, C., Heinrich, R., Ostermayr, N., Olbrich, A., Dobler, B., Ruderer, E., Kakoschke, R., Schrufert, K., Georgakos, G., Hansch, W., Schmitt-Landsiedel, D.

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HOMO BENE MORIENS. Das ist: Vier vnd zwaintzig gelehret, Geistreiche, vnd mit grosser Klarheit wol außgeführte, diser Zeit nothwendige nutzliche Discursen oder Predigen Von einem S... von Prokop von Templin, bey Johan[n] Ostermayr

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HOMO BENE MORIENS. Das ist: Vier vnd zwaintzig gelehret, Geistreiche, vnd mit grosser Klarheit wol außgeführte, diser Zeit nothwendige nutzliche Discursen oder Predigen Von einem S... von Prokop von Templin, xx0110773

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Proton acceleration by irradiation of isolated spheres with an intense laser pulse von Ostermayr, T M, Haffa, D, Hilz, P, Pauw, V, Allinger, K, Bamberg, K-U, Böhl, P, Bömer, C, Bolton, P R, Deutschmann, F, Ditmire, T, Donovan, M E, Dyer, G, Gaul, E, Gordon, J, Hegelich, B M, Kiefer, D, Klier, C, Kreuzer, C, Martinez, M, McCary, E, Meadows, A R, Moschüring, N, Rösch, T, Ruhl, H, Spinks, M, Wagner, C, Schreiber, J

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Strategies for single patterning of contacts for 32nm and 28nm technology von Morgenfeld, B., Stobert, I., Haffner, H., An, J., Kanai, H., Ostermayr, M., Chen, N., Aminpur, M., Brodsky, C., Thomas, A.

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The Next Generation of MeV Energy X-ray Sources for use in the Inspection of Additively Manufactured Parts for Industry von Thornton, C, Karimi, S, Glenn, S, Brown, W. D, Draganic, N, Skeate, M, Ferrucci, M, Chen, Q, Jacob, R, Nakamura, K, Ostermayr, T, van Tilborg, J, Armstrong, C, Finlay, O. J, Turner, N, Glanvill, S, Martz, H, Geddes, C

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The Next Generation of MeV Energy X-ray Sources for use in the Inspection of Additively Manufactured Parts for Industry von Thornton, C, Karimi, S, Glenn, S, Brown, W D, Draganic, N, Skeate, M, Ferrucci, M, Chen, Q, Jacob, R, Nakamura, K, Ostermayr, T, J van Tilborg, Armstrong, C, Finlay, O J, Turner, N, Glanvill, S, Martz, H, Geddes, C

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Competitive and cost effective high-k based 28nm CMOS technology for low power applications von Arnaud, F., Thean, A., Eller, M., Lipinski, M., Teh, Y.W., Ostermayr, M., Kang, K., Kim, N.S., Ohuchi, K., Han, J.-P., Nair, D.R., Lian, J., Uchimura, S., Kohler, S., Miyaki, S., Ferreira, P., Park, J.-H., Hamaguchi, M., Miyashita, K., Augur, R., Zhang, Q., Strahrenberg, K., ElGhouli, S., Bonnouvrier, J., Matsuoka, F., Lindsay, R., Sudijono, J., Johnson, F.S., Ku, J.H., Sekine, M., Steegen, A., Sampson, R.

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A manufacturable dual channel (Si and SiGe) high-k metal gate CMOS technology with multiple oxides for high performance and low power applications von Krishnan, S., Kwon, U., Moumen, N., Stoker, M. W., Harley, E. C. T., Bedell, S., Nair, D., Greene, B., Henson, W., Chowdhury, M., Prakash, D. P., Wu, E., Ioannou, D., Cartier, E., Na, M-H, Inumiya, S., Mcstay, K., Edge, L., Iijima, R., Cai, J., Frank, M., Hargrove, M., Guo, D., Kerber, A., Jagannathan, H., Ando, T., Shepard, J., Siddiqui, S., Dai, M., Bu, H., Schaeffer, J., Jaeger, D., Barla, K., Wallner, T., Uchimura, S., Lee, Y., Karve, G., Zafar, S., Schepis, D., Wang, Y., Donaton, R., Saroop, S., Montanini, P., Liang, Y., Stathis, J., Carter, R., Pal, R., Paruchuri, V., Yamasaki, H., Lee, J-H, Ostermayr, M., Han, J-P, Hu, Y., Gribelyuk, M., Park, D-G, Chen, X., Samavedam, S., Narasimha, S., Agnello, P., Khare, M., Divakaruni, R., Narayanan, V., Chudzik, M.

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Scaling of 32nm low power SRAM with high-K metal gate von Yang, H.S., Wong, R., Hasumi, R., Gao, Y., Kim, N.S., Lee, D.H., Badrudduza, S., Nair, D., Ostermayr, M., Kang, H., Zhuang, H., Li, J., Kang, L., Chen, X., Thean, A., Arnaud, F., Zhuang, L., Schiller, C., Sun, D.P., Teh, Y.W., Wallner, J., Takasu, Y., Stein, K., Samavedam, S., Jaeger, D., Baiocco, C.V., Sherony, M., Khare, M., Lage, C., Pape, J., Sudijono, J., Steegen, A.L., Stiffler, S.

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Procédé d'exploitation d'une centrale solaire à concentration linéaire ainsi que centrale solaire à concentration linéaire von LUTZ, Michael, MAURER, Stephan, SCHIERLE-ARNDT, Kerstin, OSTERMAYR, Markus, FEDERSEL, Katharina, WORTMANN, Jürgen, LADENBERGER, Michael

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Procédé d'exploitation d'une centrale solaire à concentration linéaire ainsi que centrale solaire à concentration linéaire von LUTZ, Michael, MAURER, Stephan, SCHIERLE-ARNDT, Kerstin, OSTERMAYR, Markus, FEDERSEL, Katharina, WORTMANN, Jürgen, LADENBERGER, Michael

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High-κ/metal gate low power bulk technology - Performance evaluation of standard CMOS logic circuits, microprocessor critical path replicas, and SRAM for 45nm and beyond von Park, D.-G., Stein, K., Schruefer, K., Lee, Y., Han, J.-P., Li, W., Yin, H., Pacha, C., Kim, N., Ostermayr, M., Eller, M., Kim, S., Kim, K., Han, S., von Arnim, K., Moumen, N., Hatzistergos, M., Tang, T., Loesing, R., Chen, X., Jaeger, D., Zhuang, H., Chen, J., Yan, W., Kanarsky, T., Chowdhury, M., Haetty, J., Schepis, D., Chudzik, M., Theon, V.-Y., Samavedam, S., Narayanan, V., Sherony, M., Lindsay, R., Steegen, A., Divakaruni, R., Khare, M.

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