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    Analytic Model of Threshold Voltage (VTH) Recovery in Fully Recessed Gate MOS-Channel HEMT (High Electron Mobility Transistor) after OFF-State Drain Stress

    Analytic Model of Threshold Voltage (VTH) Recovery in Fully Recessed Gate MOS-Channel HEMT (High Electron Mobility Transistor) after OFF-State Drain Stress von Escoffier, René, Mohamad, Blend, Buckley, Julien, Gwoziecki, Romain, Biscarrat, Jérome, Sousa, Véronique, Orsatelli, Marc, Marcault, Emmanuel, Ranc, Julien, Modica, Roberto, Iucolano, Ferdinando

    Veröffentlicht in Energies (Basel)

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