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A sub-40-ns chain FRAM architecture with 7-ns cell-plate-line drive
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A novel power-off mode for a battery-backup DRAM
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Standby/active mode logic for sub-1-V operating ULSI memory
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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An experimental DRAM with a NAND-structured cell
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A 76-mm(2) 8-Mb chain ferroelectric memory
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Word-line architecture for highly reliable 64-Mb DRAM
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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New nibbled-page architecture for high-density DRAMs
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Open/folded bit-line arrangement for ultra-high-density DRAM's
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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The stabilized reference-line (SRL) technique for scaled DRAMs
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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