Electron and hydrogen atom donor photocatalysts in situ generated from benzimidazolium salts and hydride reagents von Miyajima, Ryo, Kiuchi, Takehiro, Ooe, Yuki, Iwamoto, Hajime, Takizawa, Shin-ya, Hasegawa, Eietsu

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Thermodynamic Study of Etching Characteristics of HVPE-In2O3 Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching von Togashi, Rie, Kasaba, Ryo, Ooe, Yuki, Goto, Ken, Kumagai, Yoshinao, Kikuchi, Akihiko

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Design and theoretical analysis of topological edge waveguide in a bulk type photonic crystal structure von Moriya, Yuta, Kouki, Abe, Kentaro, Kinoshita, Yuki, Ooe, Yusei, Kawasaki, Daichi, Ito, Akihiko, Kikuchi

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Crystal line orientation dependency of triangle nano hole structure by HEATE for InGaN/GaN optical waveguide type photonic crystal device von Abe, Koki, Ooe, Yuki, Kawasaki, Yusei, Ito, Daichi, Moriya, Yuta, Kinoshita, Kentaro, Kikuchi, Akihiko

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Investigation of Etching Characteristics of HVPE-In2O3 Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching von Togashi, Rie, Kasaba, Ryo, Ooe, Yuki, Nagai, Kenta, Goto, Ken, Kumagai, Yoshinao, Kikuchi, Akihiko

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High aspect nano-hole array fabricated by HEATE for InGaN/GaN optical waveguide type photonic crystal device von Moriya, Yuta, Ooe, Yuki, Kawasaki, Yusei, Ito, Daichi, Abe, Kouki, Kinoshita, Kentarou, Kikuchi, Akihiko

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Fabrication of high aspect GaN structures by hydrogen atmosphere anisotropic thermal etching(HEATE) method with addition of ammonia gas von Kawasaki, Yusei, Matsuoka, Akihiro, Namae, Yusuke, Ooe, Yuki, Ito, Daichi, Moriya, Yuta, Kikuchi, Akihiko

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Surface passivation effect by saturated ozone water treatment on InGaN/GaN nanostructures fabricated by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE) von Ito, Daichi, Namae, Yusuke, Matsuoka, Akihiro, Ooe, Yuki, Kawasaki, Yusei, Moriya, Yuta, Togashi, Rie, Kikuchi, Akihiko

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Size control of InGaN/GaN nanostructures by digital wet etching using ozone water oxidation von Ogawa, Kohei, Ishijima, Shun, Namae, Yusuke, Matsuoka, Akihiro, Ooe, Yuki, Kawasaki, Yusei, Kikuchi, Akihiko

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Fabrication of InGaN / GaN nanostructures by hydrogen atmosphere anisotropic thermal etching (HEATE) method with addition of ammonia gas von Matsuoka, Akihiro, Namae, Yusuke, Ishijima, Shun, Ogawa, Kohei, Ooe, Yuki, Kawasaki, Yusei, Kikuchi, Akihiko

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Photoluminescence characterization of InGaN/GaN ultra-fine nanopillars fabricated by Hydrogen Environment Anisotropic Thermal Etching (HEATE) von Namae, Yusuke, Matsuoka, Akihiro, Ishijima, Shun, Ogawa, Kohei, Ooe, Yuki, Kawasaki, Yusei, Kikuchi, Akihiko

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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性の熱力学的検討 von 富樫, 理恵, 笠羽, 遼, 大江, 優輝, 後藤, 健, 熊谷, 義直, 菊池, 昭彦

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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価 von 富樫, 理恵, 笠羽, 遼, 大江, 優輝, 長井, 研太, 後藤, 健, 熊谷, 義直, 菊池, 昭彦

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バルク型フォトニック結晶構造における可視光領域トポロジカルエッジ導波路の設計と理論解析 von 森谷, 祐太, 阿部, 洸希, 木下, 堅太郎, 大江, 優輝, 川崎, 祐生, 伊藤, 大智, 菊池, 昭彦

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InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による三角ナノホール構造の面方位依存性検討 von 阿部, 洸希, 大江, 優輝, 川崎, 裕生, 伊藤, 大智, 森谷, 祐太, 木下, 堅太郎, 菊池, 昭彦

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InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による高アスペクトナノホールアレイの作製 von 森谷, 祐太, 大江, 優輝, 川崎, 祐生, 伊藤, 大智, 阿部, 洸希, 木下, 堅太郎, 菊池, 昭彦

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HEATE法で作製したInGaN/GaN極微細ナノピラーに対する飽和オゾン水処理による表面パッシベーション効果 von 伊藤, 大智, 生江, 祐介, 松岡, 明裕, 大江, 優輝, 川崎, 裕生, 森谷, 裕太, 富樫, 理恵, 菊池, 昭彦

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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法におけるアンモニア添加を利用した高アスペクトp-GaN ナノ構造の作製 von 川崎, 祐生, 松岡, 明裕, 生江, 祐介, 大江, 優輝, 伊藤, 大智, 森谷, 祐太, 菊池, 昭彦

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水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によって作製したInGaN/GaN極微細量子井戸ナノピラーのフォトルミネッセンス評価 von 生江, 祐介, 松岡, 明裕, 石嶋, 駿, 小川, 航平, 大江, 優輝, 川崎, 祐生, 菊池, 昭彦

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オゾン水酸化を用いたデジタルウェットエッチングによるInGaN/GaNナノ構造のサイズ制御 von 小川, 航平, 石嶋, 駿, 生江, 祐介, 松岡, 明裕, 大江, 優輝, 川崎, 祐生, 菊池, 昭彦

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