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    Comparison of Solid Phase Epi (SPE) non-melt to Liquid Phase Epi (LPE) melt laser annealing for 22nm node n+ USJ formation

    Comparison of Solid Phase Epi (SPE) non-melt to Liquid Phase Epi (LPE) melt laser annealing for 22nm node n+ USJ formation von Borland, J, Shishiguchi, S, Matsuzaka, N, Hane, M, Tanjyo, M, Oesterlini, P, Mayer, J


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    Review paper: Advanced source and drain technologies for low power CMOS at 22/20 nm node and below

    Review paper: Advanced source and drain technologies for low power CMOS at 22/20 nm node and below von Song, Seung-Chul, Blatchford, James W.

    Veröffentlicht in Electronic materials letters

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