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Realization of high-contrast gratings operating at 10 μm
Veröffentlicht in Optics letters
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Resonant gratings with an etch-stop layer and a fabrication-error tolerant design
Veröffentlicht in Optics express
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Recombination processes in MBE grown Al0.85Ga0.15As0.56Sb0.44
Veröffentlicht in AIP advances
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GaSb/GaAs type-II quantum dots grown by droplet epitaxy
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Coulomb effects in type-II Ga(As)Sb quantum dots
Veröffentlicht in Physica Status Solidi (b)
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Realization of high-contrast gratings operating at 10[mu]m
Veröffentlicht in Optics letters
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Optical transition pathways in type-II Ga(As)Sb quantum dots
Veröffentlicht in Journal of luminescence
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