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Characteristics of 4H–SiC MOS interface annealed in N2O
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Highly resistive GaN layers formed by ion implantation of Zn along the c axis
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Switching Characteristics of SiC-MOSFET and SBD Power Modules
Veröffentlicht in Materials science forum
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YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO Trilayer Junctions on Vicinal Substrates
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Fabrication and Performance of 1.2 kV, 12.9 mΩcm2 4H-SiC Epilayer Channel MOSFET
Veröffentlicht in Materials science forum
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SPACING LOSSES OF METAL IN GAP HEAD
Veröffentlicht in Journal of the Magnetics Society of Japan
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MAGNETIC PROPERTIES OF Fe-6wt%Ni/PERMALLOY MULTILAYERED FILMS
Veröffentlicht in Journal of the Magnetics Society of Japan
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