Suchergebnisse - OVSHINSKY, STANDFORD R | OPAC THWS

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ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY ELEMENTS CHARACTERIZED BY REDUCED CURRENT AND IMPROVED THERMAL STABILITY von STRAND, DAVID A, OVSHINSKY, STANDFORD R, KLERSY, PATRICK

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2

Method of aligning the discrete grains of a multi-grained superconducting material von OVSHINSKY, STANDFORD R, YOUNG, ROSA

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3

VERTICALLY INTERCONNECTED PARALLEL DISTRIBUTED PROCESSOR von OVSHINSKY, STANDFORD R, WICKER, GUY

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4

Vertically interconnected parallel distributed processor von OVSHINSKY, STANDFORD R, WICKER, GUY

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5

Regenerative bipolar fuel cell von Menjak, Zdravko, Venkatesan, Srinivasan, Aladjov, Boyko, Gradinarova, Latchezara M, Wang, Hong, Ovshinsky, Standford R, Dhar, Subhash K

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6

Regenerative bipolar fuel cell von OVSHINSKY STANDFORD R, ALADJOV BOYKO, WANG HONG, MENJAK ZDRAVKO, VENKATESAN SRINIVASAN, DHAR SUBHASH K, GRADINAROVA LATCHEZARA M

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7

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom von OVSHINSKY STANDFORD R.,CZUBATYJ WOLODYMYR,YE QUIYI,STRAND DAVID A.,HUDGENS STEPHEN J.,GONZALEZ HERNANDEZ JESUS,FRITZCHE HELLMUT,KOSTYLEV SERGEY A.,CHAO BENJAMIN S

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ELECTRICALLY ERASABLE MEMORY ELEMENTS CHARACTERIZED BY REDUCED CURRENT AND IMPROVED THERMAL STABILITY von STRAND, DAVID A, OVSHINSKY, STANDFORD R, KLERSY, PATRICK

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9

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material von OVSHINSKY, STANDFORD R, KOSTYLEV, SERGEY, PASHMAKOV, BOIL, KLERSY, PATRICK J, STRAND, DAVID A, CZUBATYJ, WOLODYMYR

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10

Electrically operated directly overwritable single cell memory elements and arrays fabricated therefrom von HUDGENS, STEPHEN, J, STRAND, DAVID, A, GONZALEZ-HERNANDEZ JESUS, FRITZSCHE HELLMUT, CZUBATYL WOLODYMYR, OVSHINSKY, STANDFORD, R, YE QUIVYI, KOSTYLEV, SERGEY, A, CHAO, BENJAMIN, S

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11

DE2514801 von KLOSE, PETER H., TROY, MICH., US, WACKS, HARVEY H., SOUTHFIELD, MICH., US, OVSHINSKY, STANDFORD R., BLOOMFIELD HILLS, MICH., US, HALLMAN, ROBERT W., SAN DIEGO, CALIF., US

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ELECTRICALLY ERASABLE, DIRECTLY OVERWRITABLE, MULTIBIT SINGLE CELL MEMORY ELEMENTS AND ARRAYS FABRICATED THEREFROM von CZUBATYJ, WOLODYMYR, STRAND, DAVID A, GONZALEZ, HERNANDEZ JESUS, FRITZCHE, HELLMUT, CHAO, BENJAMIN S, KOSTYLEV, SERGEY A, OVSHINSKY, STANDFORD R, YE, QUIYI, HUDGENS, STEPHEN J

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