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Suchergebnisse - OUYANG CHRISTINE Q
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1
Structure and method for multi-threshold voltage adjusted silicon germanium alloy devices with same silicon germanium content
von
Reznicek Alexander
,
Kerber Pranita
,
Ouyang Christine Q
,
Hashemi Pouya
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Patent
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2
STRUCTURE AND METHOD FOR MULTI-THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTED SILICON GERMANIUM ALLOY DEVICES WITH SAME SILICON GERMANIUM CONTENT
von
Reznicek Alexander
,
Kerber Pranita
,
Ouyang Christine Q
,
Hashemi Pouya
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Patent
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3
Structure and method of integrating waveguides, photodetectors and logic devices
von
REZNICEK ALEXANDER
,
SCHAUB JEREMY D
,
LIU FEI
,
OUYANG CHRISTINE Q
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Patent
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4
The mammalian target of rapamycin complex 2 controls folding and stability of Akt and protein kinase C
von
Facchinetti, Valeria
,
Ouyang, Weiming
,
Wei, Hua
,
Soto, Nelyn
,
Lazorchak, Adam
,
Gould, Christine
,
Lowry, Carolyn
,
Newton, Alexandra C
,
Mao, Yuxin
,
Miao, Robert Q
,
Sessa, William C
,
Qin, Jun
,
Zhang, Pumin
,
Su, Bing
,
Jacinto, Estela
Veröffentlicht in
The EMBO journal
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5
Immune dysregulation in human subjects with heterozygous germline mutations in CTLA4
von
Sun Kuehn, Hye
,
Ouyang, Weiming
,
Lo, Bernice
,
Deenick, Elissa K.
,
Niemela, Julie E.
,
Avery, Danielle T.
,
Schickel, Jean-Nicolas
,
Tran, Dat Q.
,
Stoddard, Jennifer
,
Zhang, Yu
,
Frucht, David M.
,
Dumitriu, Bogdan
,
Scheinberg, Phillip
,
Folio, Les R.
,
Frein, Cathleen A.
,
Price, Susan
,
Koh, Christopher
,
Heller, Theo
,
Seroogy, Christine M.
,
Huttenlocher, Anna
,
Rao, V. Koneti
,
Su, Helen C.
,
Kleiner, David
,
Notarangelo, Luigi D.
,
Rampertaap, Yajesh
,
Olivier, Kenneth N.
,
McElwee, Joshua
,
Hughes, Jason
,
Pittaluga, Stefania
,
Oliveira, Joao B.
,
Meffre, Eric
,
Fleisher, Thomas A.
,
Holland, Steven M.
,
Lenardo, Michael J.
,
Tangye, Stuart G.
,
Uzel, Gulbu
Veröffentlicht in
Science (American Association for the Advancement of Science)
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Artikel
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6
Improved hot-carrier and short-channel performance in vertical nMOSFETs with graded channel doping
von
Xiangdong Chen
,
Ouyang, Q.C.
,
Geng Wang
,
Banerjee, S.K.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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7
Hole and electron mobility enhancement in strained SiGe vertical MOSFETs
von
Xiangdong Chen
,
Kou-Chen Liu
,
Ouyang, Q.C.
,
Jayanarayanan, S.K.
,
Banerjee, S.K.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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8
A comprehensive simulation study of strained-Si/SiGe nMODFET scaling for RF applications
von
Qiqing Christine Ouyang
,
Koester, S.J.
,
Chu, J.O.
,
Grill, A.
,
Subbanna, S.
,
Hennan, D.A.
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