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A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaNxAsyP1-x-y/GaP quantum wells on GaP substrates
von
O L Unsal B Gonul M Temiz
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中国物理B:英文版
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A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaN sub(x)As sub(y)P sub(1-x-y)/GaP quantum wells on GaP substrates
von
Unsal, O L
,
Gonul, B
,
Temiz, M
Veröffentlicht in
Chinese physics B
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A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaN x As y P 1– x–y /GaP quantum wells on GaP substrates
von
Ünsal, Ö L
,
Gönül, B
,
Temiz, M
Veröffentlicht in
Chinese physics B
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