-
1
-
2
-
3
MOVPE growth of high-quality Al0.1Ga0.9N on Si(111) substrates for UV-LEDs
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
MOVPE growth of high‐quality Al 0.1 Ga 0.9 N on Si(111) substrates for UV‐LEDs
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20