Suchergebnisse - Noguchi Mitsuhiro

1

(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials von Takagi, Shinichi, Kim, Minsoo, Noguchi, Mitsuhiro, Nishi, Koichi, Takenaka, Mitsuru

Veröffentlicht in ECS transactions

Volltext
Artikel

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
2

An Embedded DRAM Technology for High-Performance NAND Flash Memories von Takashima, D., Noguchi, M., Shibata, N., Kanda, K., Sukegawa, H., Fujii, S.

Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits

Volltext
Artikel

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
3

Saturation of electron phase breaking time in GaAs/AlGaAs quantum wires von Noguchi, Mitsuhiro, Ikoma, Toshiaki, Odagiri, Takahide, Sakakibara, Hideki, Wang, Shi Nan

Veröffentlicht in Journal of applied physics

Volltext
Artikel

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
4

Semiconductor device von Shimura, Masahiro, Noguchi, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
5

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME von NOGUCHI, Mitsuhiro, SHIMURA, Masahiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
6

Semiconductor memory device capable of suppressing leakage current von Watanabe, Shoichi, Noguchi, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
7

SEMICONDUCTOR DEVICE von NOGUCHI, Mitsuhiro, SHIMURA, Masahiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
8

Semiconductor device von Shimura, Masahiro, Noguchi, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
9

SEMICONDUCTOR DEVICE von WATANABE, Shoichi, NOGUCHI, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
10

SEMICONDUCTOR DEVICE von SHINO, Tomoaki, NOGUCHI, Mitsuhiro, TOBA, Takayuki

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
11

SEMICONDUCTOR DEVICE von NOGUCHI, Mitsuhiro, SHIMURA, Masahiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
12

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method of p-channel MOS transistor von Tomino, Hirokazu, Noguchi, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
13

Collimation of two-dimensional ballistic electrons using equivalent Snell's law von NOGUCHI, M, SAKAKIBARA, H, IKOMA, T

Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics

Volltext
Artikel

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
14

Direct determination of bare confinement potentials in AlGaAs/GaAs split-gate quantum wires by far-infrared spectroscopy von WANG, S, YAMANAKA, K, HIRAKAWA, K, NOGUCHI, M, IKOMA, T

Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics

Volltext
Artikel

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
15

TWI816359B von SHIMURA, MASAHIRO, NOGUCHI, MITSUHIRO

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
16

Semiconductor device having a bonding pad area of a first wiring layer overlaps a bonding pad electrode of a second wiring layer von Akou, Masayuki, Tatsumi, Yuuichi, Noguchi, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
17

TWI812962B von SHIMURA, MASAHIRO, NOGUCHI, MITSUHIRO

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
18

Semiconductor device von Shino, Tomoaki, Tezuka, Ryuta, Noguchi, Mitsuhiro

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
19

Semiconductor memory device von Nakajima, Yasushi, Itai, Hideki, Yoshimori, Hiromasa, Noguchi, Mitsuhiro, Tabata, Hideyuki

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:
20

SEMICONDUCTOR DEVICE von SHINO, Tomoaki, NOGUCHI, Mitsuhiro, TEZUKA, Ryuta

Volltext bestellen

Patent

In die Zwischenablage Aus der Zwischenablage entfernen
Zu den Favoriten

Gespeichert in:

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Nächster
[64]

(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials von Takagi, Shinichi, Kim, Minsoo, Noguchi, Mitsuhiro, Nishi, Koichi, Takenaka, Mitsuru

An Embedded DRAM Technology for High-Performance NAND Flash Memories von Takashima, D., Noguchi, M., Shibata, N., Kanda, K., Sukegawa, H., Fujii, S.

Saturation of electron phase breaking time in GaAs/AlGaAs quantum wires von Noguchi, Mitsuhiro, Ikoma, Toshiaki, Odagiri, Takahide, Sakakibara, Hideki, Wang, Shi Nan

Semiconductor device von Shimura, Masahiro, Noguchi, Mitsuhiro

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME von NOGUCHI, Mitsuhiro, SHIMURA, Masahiro

Semiconductor memory device capable of suppressing leakage current von Watanabe, Shoichi, Noguchi, Mitsuhiro

SEMICONDUCTOR DEVICE von NOGUCHI, Mitsuhiro, SHIMURA, Masahiro

Semiconductor device von Shimura, Masahiro, Noguchi, Mitsuhiro

SEMICONDUCTOR DEVICE von WATANABE, Shoichi, NOGUCHI, Mitsuhiro

SEMICONDUCTOR DEVICE von SHINO, Tomoaki, NOGUCHI, Mitsuhiro, TOBA, Takayuki

SEMICONDUCTOR DEVICE von NOGUCHI, Mitsuhiro, SHIMURA, Masahiro

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method of p-channel MOS transistor von Tomino, Hirokazu, Noguchi, Mitsuhiro

Collimation of two-dimensional ballistic electrons using equivalent Snell's law von NOGUCHI, M, SAKAKIBARA, H, IKOMA, T

Direct determination of bare confinement potentials in AlGaAs/GaAs split-gate quantum wires by far-infrared spectroscopy von WANG, S, YAMANAKA, K, HIRAKAWA, K, NOGUCHI, M, IKOMA, T

TWI816359B von SHIMURA, MASAHIRO, NOGUCHI, MITSUHIRO

Semiconductor device having a bonding pad area of a first wiring layer overlaps a bonding pad electrode of a second wiring layer von Akou, Masayuki, Tatsumi, Yuuichi, Noguchi, Mitsuhiro

TWI812962B von SHIMURA, MASAHIRO, NOGUCHI, MITSUHIRO

Semiconductor device von Shino, Tomoaki, Tezuka, Ryuta, Noguchi, Mitsuhiro

Semiconductor memory device von Nakajima, Yasushi, Itai, Hideki, Yoshimori, Hiromasa, Noguchi, Mitsuhiro, Tabata, Hideyuki

SEMICONDUCTOR DEVICE von SHINO, Tomoaki, NOGUCHI, Mitsuhiro, TEZUKA, Ryuta

Suchwerkzeuge:

Treffer weiter einschränken

Eingrenzen

Format

Zeitschriftentitel

Schlagworte

Erscheinungsjahr

Quelle