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DII Revisited in an Modern Guise - 6H and 4H SiC
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Phosphorus Four Particle Donor Bound Exciton Complex in 6H SiC
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Oxygen-Related Defect Centers in 4H Silicon Carbide
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Optical Properties of Silicon Carbide: Some Recent Developments
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Boron Four Particle Acceptor Bound Exciton Complex in 4H SiC
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