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Reverse active mode current characteristics of SiGe HBTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Trends in CMOS technology and application development
Veröffentlicht in Materials chemistry and physics
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On Shockley's 1952 Proceedings Of The IRE Paper
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
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A perspective on the theory of MOSFET scaling and its impact
Veröffentlicht in IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter
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