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Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices
Veröffentlicht in Applied surface science
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Aluminum Frenkel defects cause hysteresis in Al2O3/AlGaN capacitors
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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A Simple Route to the Synthesis of Pr2O3 High-k Thin Films
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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Ti/Al/W Ohmic contacts to p-type implanted 4H-SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Structural–optical study of high-dielectric-constant oxide films
Veröffentlicht in Applied surface science
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Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices
Veröffentlicht in Applied surface science
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High permittivity cerium oxide thin films on AlGaN/GaN heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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From micro- to nanotransport properties in Pr2O3-based thin layers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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