AlGaN/GaN-heterostructures on (111) 3C-SiC/Si pseudo substrates for high frequency applications von Tonisch, K., Jatal, W., Niebelschuetz, F., Romanus, H., Baumann, U., Schwierz, F., Pezoldt, J.

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Micro- and nano-electromechanical resonators based on SiC and group III-nitrides for sensor applications von Brueckner, K., Niebelschuetz, F., Tonisch, K., Foerster, Ch, Cimalla, V., Stephan, R., Pezoldt, J., Stauden, T., Ambacher, O., Hein, M. A.

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Two-dimensional electron gas based actuation of piezoelectric AlGaN/GaN microelectromechanical resonators von Brueckner, K., Niebelschuetz, F., Tonisch, K., Michael, S., Dadgar, A., Krost, A., Cimalla, V., Ambacher, O., Stephan, R., Hein, M. A.

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Piezoelectric actuated epitaxially grown AlGaN/GaN-resonators von Niebelschuetz, F., Brueckner, K., Tonisch, K., Stephan, R., Cimalla, V., Ambacher, O., Hein, M. A.

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Nanoelectromechanical devices for sensing applications von Cimalla, V., Niebelschütz, F., Tonisch, K., Foerster, Ch, Brueckner, K., Cimalla, I., Friedrich, T., Pezoldt, J., Stephan, R., Hein, M., Ambacher, O.

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Piezoelectric actuation of (GaN/)AlGaN/GaN heterostructures von Tonisch, K., Buchheim, C., Niebelschütz, F., Schober, A., Gobsch, G., Cimalla, V., Ambacher, O., Goldhahn, R.

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Electric field distribution in GaN∕AlGaN∕GaN heterostructures with two-dimensional electron and hole gas von Buchheim, C., Goldhahn, R., Gobsch, G., Tonisch, K., Cimalla, V., Niebelschütz, F., Ambacher, O.

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Strain- and pressure-dependent RF response of microelectromechanical resonators for sensing applications von Brueckner, K, Cimalla, V, Niebelschütz, F, Stephan, R, Tonisch, K, Ambacher, O, Hein, M A

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Micro- and nano-electromechanical resonators based on SiC and group III-nitrides for sensor applications : Integrated Electroceramic Functional Structures von BRUECKNER, K, NIEBELSCHUETZ, F, TONISCH, K, FOERSTER, Ch, CIMALLA, V, STEPHAN, R, PEZOLDT, J, STAUDEN, T, AMBACHER, O, HEIN, M. A

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Temperature Facilitated ECR-Etching for Isotropic SiC Structuring von Pezoldt, Joerg, Niebelschütz, Florentina, Stauden, Thomas, Tonisch, Katja

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AlGaN/GaN-based MEMS with two-dimensional electron gas for novel sensor applications von Niebelschütz, F., Cimalla, V., Tonisch, K., Haupt, Ch, Brückner, K., Stephan, R., Hein, M., Ambacher, O.

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Isotropic Etching of SiC von Cimalla, Volker, Pezoldt, Joerg, Ecke, Gernot, Stauden, Thomas, Niebelschütz, Florentina, Haupt, Christian, Tonisch, Katja

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Resonant MEMS based on cubic GaN layers von Niebelschütz, F., Brueckner, K., Jatal, W., Tschumak, E., As, D. J., Hein, M. A., Pezoldt, J.

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Property Modification of 3C-SiC MEMS on Ge-Modified Si(100) Substrates von Hein, Matthias A., Brueckner, Klemens, Pezoldt, Joerg, Niebelschütz, Florentina, Zhao, Wei Hong, Tonisch, Katja, Linß, Matthias

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Composition and Interface Chemistry Dependence in Ohmic Contacts to GaN HEMT Structures on the Ti/Al Ratio and Annealing Conditions von Cimalla, Volker, Kakanakov, Roumen, Niebelschütz, Florentina, Kolaklieva, Lilyana, Stefanov, Plamen, Ambacher, Oliver, Maroldt, S., Tonisch, Katja

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Fully unstrained GaN on sacrificial AlN layers by nano-heteroepitaxy von Tonisch, K., Cimalla, V., Niebelschütz, F., Romanus, H., Eickhoff, M., Ambacher, O.

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AlGaN/GaN Based Heterostructures for MEMS and NEMS Applications von Cimalla, Volker, Lebedev, V., Hein, Matthias A., Brueckner, Klemens, Niebelschütz, Florentina, Röhlig, C. C., Ambacher, Oliver, Tonisch, Katja

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Piezoelectric actuation of all-nitride MEMS von Tonisch, K., Buchheim, C., Niebelschütz, F., Donahue, M., Goldhahn, R., Cimalla, V., Ambacher, O.

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Characterization of GaN-based lateral polarity heterostructures von Lorenz, P., Lebedev, V., Niebelschütz, F., Hauguth, S., Ambacher, O., Schaefer, J. A., Krischok, S.

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Gas Pressure Sensing Based on MEMS Resonators von Bruckner, K., Cimalla, V., Niebelschutz, F., Stephan, R., Tonisch, K., Ambacher, O., Hein, M.A.

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