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Intrinsic electron mobility limits in β-Ga2O3
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Intra- and inter-conduction band optical absorption processes in β-Ga2O3
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Adsorption-controlled growth of La-doped BaSnO3 by molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in APL materials
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Breakdown mechanism in 1 kA/cm2 and 960 V E-mode β-Ga2O3 vertical transistors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Enhancement-Mode Ga 2 O 3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Ultrafast dynamics of gallium vacancy charge states in β-Ga_{2}O_{3}
Veröffentlicht in Physical review research
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Ultrafast dynamics of gallium vacancy charge states in β − Ga 2 O 3
Veröffentlicht in Physical review research
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Significantly Reduced Thermal Conductivity in Beta-(Al0.1Ga0.9)2O3/Ga2O3 Superlattices
Veröffentlicht in arXiv.org
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Ultrafast Dynamics of Gallium Vacancy Charge States in \(\beta\)-Ga\(_2\)O\(_3\)
Veröffentlicht in arXiv.org
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Intra- and Inter-Conduction Band Optical Absorption Processes in \(\beta\)-Ga\(_2\)O\(_3\)
Veröffentlicht in arXiv.org
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