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Absorption coefficients in AlGaInP lattice-matched to GaAs
Veröffentlicht in Solar energy materials and solar cells
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Non-stoichiometric GaAsBi/GaAs (100) molecular beam epitaxy growth
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Impact Ionization Coefficients in 4H-SiC
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Avalanche Noise Characteristics in Submicron InP Diodes
Veröffentlicht in IEEE journal of quantum electronics
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Effect of Dead Space on Low-Field Avalanche Multiplication in InP
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Effect of dead space on avalanche speed [APDs]
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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