Suchergebnisse - Nevinnyi, N. N. | OPAC THWS

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Electron paramagnetic resonance of hydrogen in silicon von Gorelkinskii, Yu.V., Nevinnyi, N.N.

Veröffentlicht in Physica. B, Condensed matter

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2

EPR of interstitial hydrogen in silicon: Uniaxial stress experiments von Gorelkinskii, Yu.V., Nevinnyi, N.N.

Veröffentlicht in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology

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3

Stress-induced alignment and reorientation of hydrogen-associated donors in silicon von Gorelkinskii, Yu. V., Nevinnyi, N. N., Abdullin, Kh. A.

Veröffentlicht in Journal of applied physics

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4

Low-symmetry EPR center in hydrogen-implanted silicon von Gorelkinskii, Yu.V., Nevinnyi, N.N.

Veröffentlicht in Physics letters. A

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5

EPR evidence of helium-oxygen-vacancy complexes in crystalline silicon von Gorelkinskii, Yu.V., Nevinnyi, N.N., Ajazbaev, S.S.

Veröffentlicht in Physics letters. A

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6

EPR of neutral vacancy-helium centers in silicon von Gorelkinskii, Yu.V., Nevinnyi, N.N., Ajazbaev, S.S.

Veröffentlicht in Physics letters. A

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7

New EPR Spectrum in Helium-Implanted Silicon von Gorelkinskii, Yu. V., Nevinnyi, N. N., Kim, A. A.

Veröffentlicht in Physica status solidi. B. Basic research

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8

Metastable defect states in hydrogen-implanted silicon von Gorelkinskii, Yu. V., Nevinnyi, N. N.

Veröffentlicht in Radiation effects

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9

The spatial distribution of Si interstitial complex produced in silicon by hydrogen ion implantation von Gorelkinskii, Yu V., Nevinnyi, N. N., Botvin, V. A.

Veröffentlicht in Radiation effects

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