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Modulation-doped In0.5Al0.5P/GaAs field-effect transistors
Veröffentlicht in Japanese journal of applied physics
VolltextArtikel -
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Doping and Energy Levels of Si and Ge in GaAs Grown from Vapour Phase
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
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Modulation-Doped In 0.5 Al 0.5 P/GaAs Field-Effect Transistors
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
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