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Deep levels related to the carbon antisite–vacancy pair in 4H-SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Identification of Structures of the Deep Levels in 4H-SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Deep levels near the valence band in p-type 4H-SiC
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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