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METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
von
EDWIN NOSCH
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DE1800192
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NOSCH, EDWIN, 7100 HEILBRONN
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DE1800192
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NOSCH, EDWIN, 7100 HEILBRONN
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DEVICE FOR THE EPITAXIALY DEPOSITION OF SEMICONDUCTOR MATERIAL
von
EDWIN NOSCH
,
HEINZ-HERBERT ARNDT
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Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
von
NOSCH,EDWIN
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Halbleiterdiode
von
NOSCH EDWIN
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DE1929422
von
NOSCH, EDWIN, 7100 HEILBRONN
,
ARNDT, HEINZ-HERBERT
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DE1929422
von
NOSCH, EDWIN, 7100 HEILBRONN
,
ARNDT, HEINZ-HERBERT
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Verpackung fuer Bauelemente, insbesondere Halbleiterbauelemente mit drahtfoermigen Elektrodenzuleitungen
von
NOSCH EDWIN
,
HACKER DIETER
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Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
von
NOSCH EDWIN
,
REITBERGER HEINZ
,
BAUER ALFRED
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Schaltung zur Abstimmungsanzeige
von
NOSCH EDWIN
,
PIETRZYK JOHANNES DR
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Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial
von
HEINZ-HERBERT ARNDT,DR
,
NOSCH,EDWIN
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Electricity
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Electric Solid State Devices Not Otherwise Provided For
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Semiconductor Devices
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Apparatus Therefor
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Chemistry
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Coating Material With Metallic Material
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Coating Metallic Material
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Crystal Growth
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Diffusion Treatment Of Metallic Material
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General Tagging Of Cross-Sectional Technologies Spanning Over Several Sections Of The Ipc
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General Tagging Of New Technological Developments
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Inhibiting Corrosion Of Metallic Material Or Incrustation Ingeneral
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Metallurgy
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Single-Crystal-Growth
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Esp@Cenet
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