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GaN and InGaN ( 11 2 ̱ 2 ) surfaces: Group-III adlayers and indium incorporation
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electric-Field-Induced Gap States in Pentacene
Veröffentlicht in Advanced materials (Weinheim)
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Screw dislocations in GaN: The Ga-filled core model
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Radiation Induced Hydrogen Rearrangement in Poly(3-alkylthiophene)
Veröffentlicht in Applied physics express
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Magnesium incorporation at (0001) inversion domain boundaries in GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Theory of intrinsic and H-passivated screw dislocations in GaN
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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Effector and memory CD8+ T cell fate coupled by T-bet and eomesodermin
Veröffentlicht in Nature immunology
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Effect of magnesium on the structure and growth of GaN(0001)
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Pseudomorphically Grown Ultraviolet C Photopumped Lasers on Bulk AlN Substrates
Veröffentlicht in Applied physics express
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Semi-polar nitride surfaces and heterostructures
Veröffentlicht in Physica Status Solidi (b)
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Energetics of GaAs(100)-(2×4) and -(4×2) reconstructions
Veröffentlicht in Physical review letters
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