-
1
Silicon carbide high-power devices
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
2
Direct pattern transfer for sub-45 nm features using nanoimprint lithography
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
VolltextArtikel -
3
Direct pattern transfer for sub-45nm features using nanoimprint lithography
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
VolltextArtikel -
4
4H-SiC MESFET with 2.8 W/mm power density at 1.8 GHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
5
4H-SiC MESFET with 65.7% power added efficiency at 850 MHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20