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    Influence of Oxygen Addition and Wafer Bias Voltage on Bromine Atom Surface Reaction in a HBr/Ar Inductively Coupled Plasma

    Influence of Oxygen Addition and Wafer Bias Voltage on Bromine Atom Surface Reaction in a HBr/Ar Inductively Coupled Plasma von Iino, Daiki, Nojiri, Yasuhiro, Suzuki, Keiji, Oike, Takumi, Fujii, Yoshitaka, Toyoda, Hirotaka


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    YOSHIMURA Toyoo, Government administration and local society in late premodern Japan, Tokyo, 2013

    YOSHIMURA Toyoo, Government administration and local society in late premodern Japan, Tokyo, 2013 von NOJIRI, Yasuhiro

    Veröffentlicht in SHIGAKU ZASSHI

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    The Attack Arising from the Land Dispute Caused by Divided Jurisdiction over the Mountain in the Early Modern Period: A Territory Change, Threatened Livelihoods and Geshinin, the Suspected Murderer

    The Attack Arising from the Land Dispute Caused by Divided Jurisdiction over the Mountain in the Early Modern Period: A Territory Change, Threatened Livelihoods and Geshinin, the S... von NOJIRI, Yasuhiro


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    Variable resistance memory

    Variable resistance memory von Nojiri, Yasuhiro

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    VARIABLE RESISTANCE MEMORY

    VARIABLE RESISTANCE MEMORY von NOJIRI, Yasuhiro

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    Plasma process damage induced by HBr/O2 plasma with Cl2 gas

    Plasma process damage induced by HBr/O2 plasma with Cl2 gas von Kanomaru, Koji, Nojiri, Yasuhiro, Onoue, Seiji, Shimmura, Tadashi


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    吉村豊雄著, 『日本近世の行政と地域社会』(歴史科学叢書), 校倉書房, 二〇一三・一〇刊, A5, 五四〇頁, 一二〇〇〇円

    吉村豊雄著, 『日本近世の行政と地域社会』(歴史科学叢書), 校倉書房, 二〇一三・一〇刊, A5, 五四〇頁, 一二〇〇〇円 von 野尻, 泰弘

    Veröffentlicht in 史学雑誌

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    近世初期、支配違いの山論における乱闘事件: 所領替え・生業・解死人

    近世初期、支配違いの山論における乱闘事件: 所領替え・生業・解死人 von 野尻, 泰弘

    Veröffentlicht in 福井県文書館研究紀要

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    Non-volatile semiconductor storage device and manufacturing method of non-volatile semiconductor storage device

    Non-volatile semiconductor storage device and manufacturing method of non-volatile semiconductor storage device von NOJIRI YASUHIRO

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    STORAGE DEVICE

    STORAGE DEVICE von NOJIRI YASUHIRO

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    RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY

    RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY von NOJIRI YASUHIRO

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    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE von NOJIRI YASUHIRO

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    NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

    NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE von NOJIRI YASUHIRO

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    ESCALATOR DRIVE UNIT TO MANAGE DRIVE CHAIN TENSION

    ESCALATOR DRIVE UNIT TO MANAGE DRIVE CHAIN TENSION von NOJIRI YASUHIRO

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    PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD

    PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD von NOJIRI YASUHIRO

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    STACKING-UP DETERMINING METHOD AND STACKING-UP DETERMINING DEVICE

    STACKING-UP DETERMINING METHOD AND STACKING-UP DETERMINING DEVICE von NOJIRI YASUHIRO, HATASE TSUTOMU

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    Electrostatic chuck, mount plate support, and manufacturing method of electrostatic chuck von NOJIRI YASUHIRO, SAITO MAKOTO, ETO HIDEO

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    Semiconductor memory device

    Semiconductor memory device von Yamato Masaki, Nojiri Yasuhiro, Fukumizu Hiroyuki, Yamaguchi Takeshi, Kobayashi Shigeki

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    PROCESSING APPARATUS AND COLLIMATOR

    PROCESSING APPARATUS AND COLLIMATOR von TOKUDA, Yoshinori, AOYAMA, Yasuhiro, NOJIRI, Yasuhiro, KATO, Shiguma, TAKEUCHI, Masakatsu, TERADA, Takahiro

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    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE von YAMAGUCHI Takeshi, KOBAYASHI Shigeki, FUKUMIZU Hiroyuki, NOJIRI Yasuhiro, YAMATO Masaki

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