-
1
Double Buried Oxide Trap-Rich Substrates for High Frequency Applications
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
2
Hydrogen-Related Instability of IGZO Field-Effect Transistors
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
Buried SiGe as a performance booster in n-channel FDSOI MOSFETs
Veröffentlicht in Solid-state electronics
VolltextArtikel -
12
-
13
Editorial for the JEDS Special Issue for EDTM 2021
Veröffentlicht in IEEE journal of the Electron Devices Society
VolltextArtikel -
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
C-V measurement and modeling of double-BOX Trap-Rich SOI substrate
Veröffentlicht in Solid-state electronics
VolltextArtikel -
20