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III‐Nitride Micro‐LEDs for Efficient Emissive Displays
Veröffentlicht in Laser & photonics reviews
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Optical gain characteristics of staggered InGaN quantum wells lasers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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AlN/GaN Digital Alloy for Mid- and Deep-Ultraviolet Optoelectronics
Veröffentlicht in Scientific reports
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Analysis of InGaN-delta-InN quantum wells for light-emitting diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Surface Plasmon Coupling in GaN:Eu Light Emitters with Metal-Nitrides
Veröffentlicht in Scientific reports
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AlInN for Vertical Power Electronic Devices
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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