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Epitaxial Heterostructures of the Active Region for Near-Infrared LEDs
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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InGaAs metamorphic laser (1064 nm) power converters with over 40% efficiency
Veröffentlicht in Electronics letters
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Internal Loss in Diode Lasers with Quantum Well-Dots
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Ag/C60 heterojunctions for thermoelectricity
Veröffentlicht in Low temperature physics (Woodbury, N.Y.)
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Information Encoding Using Two-Level Generation in a Quantum Dot Laser
Veröffentlicht in Technical physics letters
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40 Gbit/s error-free operation of oxide-confined 850 nm VCSEL
Veröffentlicht in Electronics letters
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