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3.3 kV-class NiO/β-Ga2O3 heterojunction diode and its off-state leakage mechanism
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Post-trench restoration for vertical GaN power devices
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Saturation thickness of stacked SiO2 in atomic-layer-deposited Al2O3 gate on 4H-SiC
Veröffentlicht in Chinese physics B
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4H-SiC Super-Junction JFET: Design and Experimental Demonstration
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Saturation thickness of stacked SiO 2 in atomic-layer-deposited Al 2 O 3 gate on 4H-SiC
Veröffentlicht in Chinese physics B
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A Novel SiC Trench MOSFET with Self-Aligned N-Type Ion Implantation Technique
Veröffentlicht in Micromachines (Basel)
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