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Radiative and interfacial recombination in CdTe heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Critical Thickness of ZnTe on GaSb(211)B
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Model for minority carrier lifetimes in doped HgCdTe
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Magnesium incorporation in GaN grown by molecular-beam epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Molecular beam epitaxy growth of high-quality arsenic-doped HgCdTe
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Iodine Doping of CdTe and CdMgTe for Photovoltaic Applications
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Controlled oxygen doping of GaN using plasma assisted molecular-beam epitaxy
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