Contactless electroreflectance studies of surface potential barrier for N- and Ga-face epilayers grown by molecular beam epitaxy von Kudrawiec, R., Janicki, L., Gladysiewicz, M., Misiewicz, J., Cywinski, G., Boćkowski, M., Muzioł, G., Chèze, C., Sawicka, M., Skierbiszewski, C.

Volltext

The dissociation of (a+c) misfit dislocations at the InGaN/GaN interface von Smalc‐Koziorowska, J., Moneta, J., Muzioł, G., Chromiński, W., Kernke, R., Albrecht, M., Schulz, T., Belabbas, I.

Volltext

Low frequency noise in two-dimensional lateral GaN/AlGaN Schottky diodes von Cywiński, G., Szkudlarek, K., Kruszewski, P., Yahniuk, I., Yatsunenko, S., Muzioł, G., Skierbiszewski, C., Knap, W., Rumyantsev, S. L.

Volltext

Evidence for "dark charge" from photoluminescence measurements in wide InGaN quantum wells von Bercha, A, Trzeciakowski, W, Muziol, G, Tomm, J W, Suski, T

Volltext

Ion implantation of tunnel junction as a method for defining the aperture of III-nitride-based micro-light-emitting diodes von Slawinska, J., Muziol, G., Siekacz, M., Turski, H., Hajdel, M., Zak, M., Feduniewicz-Zmuda, A., Staszczak, G., Skierbiszewski, C.

Volltext

Stack of two III-nitride laser diodes interconnected by a tunnel junction von Siekacz, M, Muziol, G, Hajdel, M, Żak, M, Nowakowski-Szkudlarek, K, Turski, H, Sawicka, M, Wolny, P, Feduniewicz-Żmuda, A, Stanczyk, S, Moneta, J, Skierbiszewski, C

Volltext

Nitride-based laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy von Skierbiszewski, C, Turski, H, Muziol, G, Siekacz, M, Sawicka, M, Cywi ski, G, Wasilewski, Z R, Porowski, S

Volltext

Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN light-emitting diodes with a tunnel junction von Pieniak, K., Chlipala, M., Turski, H., Trzeciakowski, W., Muziol, G., Staszczak, G., Kafar, A., Makarowa, Grzanka, E., Grzanka, S., Skierbiszewski, C., Suski, T.

Volltext

GaN-based bipolar cascade lasers with 25 nm wide quantum wells von Piprek, Joachim, Muziol, G., Siekacz, M., Skierbiszewski, C.

Volltext

Hydrostatic pressure dependence of indirect and direct excitons in InGaN/GaN quantum wells von Staszczak, G., Trzeciakowski, W., Monroy, E., Bercha, A., Muziol, I. G., Skierbiszewski, C., Perlin, P., Suski, T.

Volltext

III-nitride optoelectronic devices containing wide quantum wells—unexpectedly efficient light sources von Muziol, G., Hajdel, M., Siekacz, M., Turski, H., Pieniak, K., Bercha, A., Trzeciakowski, W., Kudrawiec, R., Suski, T., Skierbiszewski, C.

Volltext

Switching of exciton character in double InGaN/GaN quantum wells von Suski, T., Staszczak, G., Korona, K. P., Lefebvre, P., Monroy, E., Drozdz, P. A., Muzioł, G., Skierbiszewski, C., Kulczykowski, M., Matuszewski, M., Grzanka, E., Grzanka, S., Pieniak, K., Gibasiewicz, K., Khachapuridze, A., Smalc-Koziorowska, J., Marona, L., Perlin, P.

Volltext

Distributed-feedback blue laser diode utilizing a tunnel junction grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy von Muziol, G., Hajdel, M., Turski, H., Nomoto, K., Siekacz, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Zak, M., Jena, D., Xing, H. G., Perlin, P., Skierbiszewski, C.

Volltext

InGaN laser diodes operating at 450-460 nm grown by rf-plasma MBE von Skierbiszewski, C., Siekacz, M., Turski, H., Muzioł, G., Sawicka, M., Feduniewicz-Żmuda, A., Smalc-Koziorowska, J., Perlin, P., Grzanka, S., Wasilewski, Z. R., Kucharski, R., Porowski, S.

Volltext

Strain relaxation in semipolar ( 20 2 ¯ 1 ) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy von Sawicka, M., Kryśko, M., Muziol, G., Turski, H., Siekacz, M., Wolny, P., Smalc-Koziorowska, J., Skierbiszewski, C.

Volltext

Indium incorporation in semipolar (202̅1) and nonpolar (101̅0) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy von Sawicka, M., Feduniewicz-Żmuda, A., Kryśko, M., Turski, H., Muziol, G., Siekacz, M., Wolny, P., Skierbiszewski, C.

Volltext

Waveguide Design for Long Wavelength InGaN Based Laser Diodes von Muzioł, G., Turski, H., Siekacz, M., Sawicka, M., Wolny, P., Cheze, C., Cywiński, G., Perlin, P., Skierbiszewski, C.

Volltext

A Model of Radiative Recombination in (In,Al,Ga)N/GaN Structures with Significant Potential Fluctuations von Dróżdż, P.A., Korona, K.P., Sarzyński, M., Czernecki, R., Skierbiszewski, C., Muzioł, G., Suski, T.

Volltext

Cyan laser diode grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy von Turski, H., Muziol, G., Wolny, P., Grzanka, S., Cywiński, G., Sawicka, M., Perlin, P., Skierbiszewski, C.

Volltext

Extremely long lifetime of III-nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy von Muziol, G., Siekacz, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Hajdel, M., Smalc-Koziorowska, J., Feduniewicz-Żmuda, A., Grzanka, E., Wolny, P., Turski, H., Wiśniewski, P., Perlin, P., Skierbiszewski, C.

Volltext