Titanium-added praseodymium silicate high- k layers on Si(001) von Schroeder, T., Lupina, G., Dabrowski, J., Mane, A., Wenger, Ch, Lippert, G., Müssig, H.-J.

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Engineering a Small HOMO–LUMO Gap and Intramolecular C−H Borylation by Diborene/Anthracene Orbital Intercalation von Wang, Sunewang R., Arrowsmith, Merle, Böhnke, Julian, Braunschweig, Holger, Dellermann, Theresa, Dewhurst, Rian D., Kelch, Hauke, Krummenacher, Ivo, Mattock, James D., Müssig, Jonas H., Thiess, Torsten, Vargas, Alfredo, Zhang, Jiji

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Scope of the Thermal Ring‐Expansion Reaction of Boroles with Organoazides von Braunschweig, Holger, Celik, Mehmet Ali, Dellermann, Theresa, Frenking, Gernot, Hammond, Kai, Hupp, Florian, Kelch, Hauke, Krummenacher, Ivo, Lindl, Felix, Mailänder, Lisa, Müssig, Jonas H., Ruppert, Annika

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Atomic Vapor Deposition of Strontium Tantalate Films for MIM Applications von Lukosius, M., Wenger, C., Pasko, S., Costina, I., Dabrowski, J., Sorge, R., Mussig, H.-J., Lohe, C.

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Praseodymium silicate films on Si(100) for gate dielectric applications: Physical and electrical characterization von Lupina, G., Schroeder, T., Dabrowski, J., Wenger, Ch, Mane, A. U., Müssig, H.-J., Hoffmann, P., Schmeisser, D.

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Engineered Si wafers: On the role of oxide heterostructures as buffers for the integration of alternative semiconductors von Schroeder, T., Giussani, A., Dabrowski, J., Zaumseil, P., Müssig, H.-J., Seifarth, O., Storck, P.

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On the epitaxy of twin-free cubic (111) praseodymium sesquioxide films on Si(111) von Schroeder, T., Zaumseil, P., Weidner, G., Wenger, Ch, Dabrowski, J., Müssig, H.-J., Storck, P.

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Silicate layer formation at Pr2O3∕Si(001) interfaces von Schmeißer, D., Müssig, H.-J., Dąbrowski, J.

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Synthesis and characterisation of boranediyl- and diboranediyl-bridged diplatinum A-frame complexes von Brunecker, Carina, Arrowsmith, Merle, Müssig, Jonas H, Böhnke, Julian, Stoy, Andreas, Heß, Merlin, Hofmann, Alexander, Lenczyk, Carsten, Lichtenberg, Crispin, Ramler, Jacqueline, Rempel, Anna, Braunschweig, Holger

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Band gap and band discontinuities at crystalline Pr2O3/Si(001) heterojunctions von Osten, H. J., Liu, J. P., Müssig, H. J.

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Boranediyl‐ and Diborane(4)‐1,2‐diyl‐Bridged Platinum A‐Frame Complexes von Brunecker, Carina, Müssig, Jonas H., Arrowsmith, Merle, Fantuzzi, Felipe, Stoy, Andreas, Böhnke, Julian, Hofmann, Alexander, Bertermann, Rüdiger, Engels, Bernd, Braunschweig, Holger

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Praseodymium silicate layers with atomically abrupt interface on Si(100) von Lupina, G., Schroeder, T., Dabrowski, J., Wenger, Ch, Mane, A., Lippert, G., Müssig, H.-J., Hoffmann, P., Schmeisser, D.

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Structure and thickness-dependent lattice parameters of ultrathin epitaxial Pr2O3 films on Si(001) von Schroeder, T., Lee, T.-L., Zegenhagen, J., Wenger, C., Zaumseil, P., Müssig, H.-J.

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Initial stages of praseodymium oxide film formation on Si( [formula omitted]) von Müssig, H.-J., Da̧browski, J., Ignatovich, K., Liu, J.P., Zavodinsky, V., Osten, H.J.

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A CMOS Process-Compatible Wet-Etching Recipe for the High-k Gate Dielectrics Pr2O3 and Pr2-xTixO3 von Mane, A U, Wenger, Ch, Schroeder, T, Zaumseil, P, Lippert, G, Weidner, G, Mussig, H-J

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The role of the HfO2―TiN interface in capacitance―voltage nonlinearity of Metal-Insulator-Metal capacitors von WENGER, Ch, LUKOSIUS, M, WEIDNER, G, MÜSSIG, H.-J, PASKO, S, LOHE, Ch

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The Pr2O3/Si(001) interface studied by synchrotron radiation photo-electron spectroscopy von Schmeißer, D., Müssig, H.-J.

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Epitaxial, high- K dielectrics on silicon: the example of praseodymium oxide von Osten, H.J., Liu, J.P., Müssig, H.-J., Zaumseil, P.

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Dielectric and structural properties of thin SrHfO3 layers on TiN von Lupina, G., Kozłowski, G., Dabrowski, J., Dudek, P., Lippert, G., Müssig, H.-J.

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Can Si(113) wafers be an alternative to Si(001)? von Müssig, H.-J., Dabrowski, J., Ehwald, K.-E., Gaworzewski, P., Huber, A., Lambert, U.

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