Suchergebnisse - Munkhsaikhan, Zumuukhorol | OPAC THWS

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Effect of a SiO₂ Anti-reflection Layer on the Optoelectronic Properties of Germanium Metal-semiconductor-metal Photodetectors von Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Khurelbaatar, Zagarzusem, Kim, Jong-Hee, Shim, Kyu-Hwan, Lee, Sung-Nam, Leem, See-Jong, Choi, Chel-Jong

Veröffentlicht in Journal of semiconductor technology and science

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2

Enhancing the performance of surface-textured Ge Schottky photodetectors using the electroless chemical etching method von Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Boldbaatar, Sosorburam, Khurelbaatar, Zagarzusem, Baek, Ji-Yoon, Shim, Kyu-Hwan, Choi, Chel-Jong

Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing

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3

Structural engineering of single-crystal-like perovskite nanocrystals for ultrasensitive photodetector applications von Kim, Mi Kyong, Munkhsaikhan, Zumuukhorol, Han, Se Gyo, Park, Su Min, Jin, Haedam, Cha, Jeongbeom, Yang, Seok Joo, Seo, Jungyoon, Lee, Hwa Sung, Choi, Chel-Jong, Kim, Min

Veröffentlicht in Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices

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4

Temperature-dependent Schottky diode behavior of Ni Schottky contacts to α-Ga2O3 film epitaxially grown on sapphire substrate von Boldbaatar, Sosorburam, Janardhanam, V., Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Lee, Hoon-Ki, Lee, Hae-Yong, Kim, Hyo Jung, Shim, Kyu-Hwan, Choi, Chel-Jong

Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing

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5

Application of a ZnO nanorod layer to display retarder: dependence of the optical property on synthesis conditions von Nguyen, Van Chuc, Kim, Jongyoon, Dang, Phuc Toan, Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Cuong, Tran Viet, Hong, Chang-Hee, Lee, Ji-Hoon

Veröffentlicht in Optical materials express

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6

Effects of finger dimension on low-frequency noise and optoelectronic properties of Ge metal-semiconductor-metal photodetectors with interdigitated Pt finger electrodes von Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Khurelbaatar, Zagarzusem, Yuk, Shim-Hoon, Won, Jonghan, Lee, Sung-Nam, Choi, Chel-Jong

Veröffentlicht in Microelectronics and reliability

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7

Novel Two‐Dimensional Nanomaterials for Next‐Generation Photodetectors

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Buchkapitel

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8

Effect of a SiO 2 Anti-reflection Layer on the Optoelectronic Properties of Germanium Metal-semiconductor-metal Photodetectors von Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Khurelbaatar, Zagarzusem, Kim, Jong-Hee, Shim, Kyu-Hwan, Lee, Sung-Nam, Leem, See-Jong, Choi, Chel-Jong

Veröffentlicht in Journal of semiconductor technology and science

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9

Metal-Semiconductor-Metal Photodetector with Interdigitated Graphene Finger Electrodes Fabricated on Ge Epilayer Grown on Si Substrate von Zagarzusem, Khurelbaatar, Zumuukhorol, Munkhsaikhan, Choi, Chel-Jong

Veröffentlicht in Meeting abstracts (Electrochemical Society)

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